Anric Technologies成立于2014年，由哈佛大學(xué)ALD工藝著名專家Roy Gordon教授組的研究人員創(chuàng)立，旨在填補市場小型臺式原子層沉積(ALD設(shè)備)的空白，是為大學(xué)、初創(chuàng)企業(yè)、探索原子層沉積(ALD)技術(shù)的公司、啟動試點生產(chǎn)線以及專業(yè)制造商提供設(shè)計和優(yōu)化的工具。

公司專注于ALD工藝和設(shè)備的研究，其核心技術(shù)成員都來自哈佛大學(xué)，他們在ALD工藝上積累了豐富的經(jīng)驗，可以為客戶提供復(fù)雜的工藝定制化解決方案，是小樣品和低預(yù)算用戶的選項。

原子層沉積是一種特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是通過將氣相前驅(qū)體交替地通入反應(yīng)室并在沉積基體表面發(fā)生氣 -固化學(xué)反應(yīng)形成薄膜的一種方法。ALD 通常是A、B 的半反應(yīng)序列組成，具有表面自限性的特點，有著優(yōu)異的三維共形性、大面積的均勻性、亞單層的膜厚控制和低的生長溫度等。

ALD 生長原理是通過反應(yīng)前驅(qū)體交替沉積，在基材表面逐層沉積薄膜。

一個原子層沉積周期可分為四個步驟:

1.通入第一種前驅(qū)體:將第一種前驅(qū)體脈沖進(jìn)入反應(yīng)室，使其與基體表面發(fā)生化學(xué)吸附反應(yīng);

2.惰性氣體清洗:使用惰性氣體(如氮氣或氣)對反應(yīng)室進(jìn)行清洗，去除未反應(yīng)的第一種前驅(qū)體和反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物;

3.通入第二種前驅(qū)體:將第二種前驅(qū)體脈沖進(jìn)入反應(yīng)室，使其與吸附在基體表面的第一種前驅(qū)體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜;

4.再次惰性氣體清洗:再次用惰性氣體清除未反應(yīng)的第二種前驅(qū)體及副產(chǎn)物。

          市面上體積最小的ALD

           小到可以放到手套箱的ALD

         可做粉末的ALD