更新時間:2026-04-21
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隨著先進半導體技術(shù)的發(fā)展對自對準和“自下而上"精準制造的需求愈發(fā)迫切,區(qū)域選擇性原子層沉積 (AS-ALD)技術(shù)憑借獨特優(yōu)勢,受到廣泛關(guān)注。
2025年6月25日,在濟州島的國際ALD/ALE會議上,Lam Research 的工程師Rachel.NyedeCastro 做了區(qū)域選擇性沉積(ASD)的報告。報告主要圍繞在金屬基體上選擇性沉積電解質(zhì)圖案,實現(xiàn)從試點生產(chǎn)(小的測試片)到規(guī)?;木A沉積。
Rachel Nye 的報告中顯示,Lam公司試點生產(chǎn)線的前期啟動實驗采用了Anric Technologies 的ALD設(shè)備。特別值得一提的是,截至目前,Lam 公司已采購8套同類設(shè)備用于試點生產(chǎn)線建設(shè),從而被譽為AnricTechnologies 的“鐵桿粉絲客戶"。
以下是該報告的內(nèi)容介紹:











報告人:Rachel Nye
Rachel Nye,導師:Gregory Parsons,于2022年博士畢業(yè)于NC State University,后加入Lam Research 公司。她的研究主要集中在分子層沉積和區(qū)域選擇性沉積,現(xiàn)在西海岸地區(qū)從事區(qū)域選擇性沉積方面的工作。
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